SiC衬底由于具有小的晶格失配度和高的热导率,也在LED领域占有一席之地,但SiC衬底的价格相对较高,Cree公司凭借自己在SiC单晶生长方面的优势,是现在市场上唯一能够大量提供SiC衬底GaN LED芯片的厂家,SiC衬底GaN LED的技术也大部分被Cree公司垄断。蓝宝石衬底、GaN衬底、SiC衬底均为透明材料,有利于LED出光,在透明衬底的基础上,可以利用倒金字塔结构芯片技术、激光剥离技术等来提高LED的光提取效率。本论文着重研究了通过芯片技术来提高GaN/InGaN蓝光LED的光电性能,主要内容包括：第二章研究了倒金字塔结构芯片技术。首先采用光学模拟方法研究了芯片形状、衬底折射率、吸收系数、芯片尺寸对透明衬底GaN LED的光提取效率的影响。模拟计算结果表明,倒金字塔(TIP)结构可有效提升透明衬底LED芯片的光提取效率,尤其是对于高折射率透明衬底LED。最适合TIP结构GaN LED的衬底为折射率为2.3的材料,现实中最接近该折射率的材料为GaN(n=2.4),其次是SiC(n=2.6)。模拟计算的结果是,对于尺寸为400μm×400μm的SiC衬底LED芯片,当不考虑衬底吸收时,TIP结构可提升芯片光提取效率一倍以上。研究了TIP结构芯片的侧面倾角大小对LED光提取效率的影响,对于蓝宝石衬底,最优侧面倾角为25°,对于SiC衬底,在0-60°范围内,在35°时光提取效率存在一个极大值,在60°时光提取效率达到最大值。